 | 书 名: 半导体物理学
作 者: 刘恩科 朱秉升 罗晋生
出 版 社: 电子工业出版社
ISBN : 750538985
原 价: ￥38
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主要参数符号表 第1章 半导体中的电子状态 1.1 半导体的晶格结构和结合性质 1.1.1 金刚石型结构和共价键 1.1.2 闪锌矿型结构和混合键 1.1.3 纤锌矿型结构 1.2 半导体中的电子状态和能带 1.2.1 原子的能级和晶体的能带 1.2.2 半导体中电子的状态和能带 1.2.3 导体、半导体、绝缘体的能带 1.3 半导体中电子的运动 有效质量 1.3.1 半导体中E(k)与k的关系 1.3.2 半导体中电子的平均速度 1.3.3 半导体中电子的加速度 1.3.4 有效质量的意义 1.4 本征半导体的导电机构空穴 1.5 回旋共振 1.5.1 k空间等能面 1.5.2 回旋共振 1.6 硅和锗的能带结构 1.6.1 硅和锗的导带结构 1.6.2 硅和锗的价带结构 1.7 ⅢⅤ族化合物半导体的能带结构 1.7.1 锑化铟的能带结构 1.7.2 砷化镓的能带结构 1.7.3 磷化镓和磷化铟的能带结构 1.7.4 混合晶体的能带结构 1.8 ⅡⅥ族化合物半导体的能带结构 1.8.1 二元化合物的能带结构 1.8.2 混合晶体的能带结构 1.9 Si1-x Ge x合金的能带 1.10宽禁带半导体材料 1.10.1 SiC的晶格结构与能带 1.10.2 GaN，AIN的晶格结构与能带 习题 参考资料 第2章 半导体中杂质和缺陷能级 2.1 硅、锗晶体中的杂质能级 2.1.1 替位式杂质 间隙式杂质 2.1.2 施主杂质、施主能级 2.1.3 受主杂质、受主能级 2.1.4 浅能级杂质电离能的简单计算 2.1.5 杂质的补偿作用 2.1.6 深能级杂质 2.2 ⅢⅤ族化合物中的杂质能级 2.3 缺陷、位错能级 2.3.1 点缺陷 2.3.2 位错 习题 参考资料 第3章 半导体中载流子的统计分布 3.1 状态密度 3.1.1 k空间中量子态的分布 3.1.2 状态密度 3.2 费米能级和载流子的统计分布 3.2.1 费米分布函数 3.2.2 玻耳兹曼分布函数 3.2.3 导带中的电子浓度和价带中的空穴浓度 3.2.4 载流子浓度乘积n0p0 3.3 本征半导体的载流子浓度 3.4 杂质半导体的载流子浓度 3.4.1 杂质能级上的电子和空穴 3.4.2 n型半导体的载流子浓度 3.5 一般情况下的载流子统计分布 3.6 简并半导体 3.6.1 简并半导体的载流子浓度 3.6.2 简并化条件 3.6.3 低温载流子冻析效应 3.6.4 禁带变窄效应 *3.7 电子占据杂质能级的概率 3.7.1 求解统计分布函数 习题 参考资料 第4章 半导体的导电性 4.1 载流子的漂移运动和迁移率 4.1.1 欧姆定律 4.1.2 漂移速度和迁移率 4.1.3 半导体的电导率和迁移率 4.2 载流子的散射 4.2.1 载流子散射的概念 4.2.2 半导体的主要散射机构 4.3 迁移率与杂质浓度和温度的关系 4.3.1 平均自由时间和散射概率的关系 4.3.2 电导率、迁移率与平均自由时间的关系 4.3.3 迁移率与杂质和温度的关系 4.4 电阻率及其与杂质浓度和温度的关系 4.4.1 电阻率和杂质浓度的关系 4.4.2 电阻率随温度的变化 4.5 玻耳兹曼方程、电导率的统计理论 4.5.1 玻耳兹曼方程 4.5.2 弛豫时间近似 4.5.3 弱电场近似下玻耳兹曼方程的解 4.5.4 球形等能面半导体的电导率 4.6 强电场下的效应、热载流子 4.6.1 欧姆定律的偏离 4.6.2 平均漂移速度与电场强度的关系 4.7 多能谷散射 耿氏效应 4.7.1 多能谷散射、体内负微分电导 4.7.2 高场畴区及耿氏振荡 习题 参考资料 第5章 非平衡载流子 5.1 非平衡载流子的注入与复合 5.2 非平衡载流子的寿命 5.3 准费米能级 5.4 复合理论 5.4.1 直接复合 5.4.2 间接复合 5.4.3 表面复合 5.4.4 俄歇复合 5.5 陷阱效应 5.6 载流子的扩散运动 5.7 载流子的漂移运动，爱因斯坦关系式 5.8 连续性方程式 习题 参考资料 第6章 pn结 6.1 pn结及其能带图 6.1.1 pn结的形成和杂质分布 6.1.2 空间电荷区 6.1.3 pn结能带图 6.1.4 pn结接触电势差 6.1.5 pn结的载流子分布 6.2 pn结电流电压特性 6.2.1 非平衡状态下的pn结 6.2.2 理想pn结模型及其电流电压方程 6.2.3 影响pn结电流电压特性偏离理想方程的各种因素 6.3 pn结电容 6.3.1 pn结电容的来源 6.3.2 突变结的势垒电容 6.3.3 线性缓变结的势垒电容 6.3.4 扩散电容 6.4 pn结击穿 6.4.1 雪崩击穿 6.4.2 隧道击穿(齐纳击穿) 6.4.3 热电击穿 6.5 pn结隧道效应 习题 参考资料 第7章 金属和半导体的接触 7.1 金属半导体接触及其能级图 7.1.1 金属和半导体的功函数 7.1.2 接触电势差 7.1.3 表面态对接触势垒的影响 7.2 金属半导体接触整流理论 7.2.1 扩散理论 7.2.2 热电子发射理论 7.2.3 镜像力和隧道效应的影响 7.2.4 肖特基势垒二极管 7.3 少数载流子的注入和欧姆接触 7.3.1 少数载流子的注入 7.3.2 欧姆接触 习题 &nbs
半导体物理学-图书简介:
本书较全面地论述了半导体物理的基础知识。全书共13章，主要内容为：半导体的晶格结构和电子状态；杂质和缺陷能级；载流子的统计分布；载流子的散射及电导问题；非平衡载流子的产生、复合及其运动规律；半导体的表面和界面——包括pn结、金属半导体接触、半导体表面及MIS结构、半导体异质结；半导体的光、热、磁、压阻等物理现象和非晶半导体。
本书可作为工科电子信息类微电子技术、半导体器件专业学生的教材，也可供从事相关专业的科技人员参考。
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