第1章 半导体电化学的基础理论
1.1 引言
1.2 半导体/电解质界面的能级
1.3 空间电荷层的电势和电荷分布
1.4 电荷传递的动力学
1.5 光效应
1.6 开路电位
1.7 实验技术
第2章 硅/电解质界面
2.1 硅的基本性质
2.2 水溶液中的热力学稳定性
2.3 表面吸附
2.4 自然氧化物
2.5 憎水和亲水表面
2.6 表面态
2.7 平带电位
2.8 开路电位
第3章 阳极氧化物
3.1 前言
3.2 氧化物的类型
3.3 阳极氧化膜的构成
3.4 生长机理
3.5 特性
第4章 硅氧化物的刻蚀
4.1 引言
4.2 概述
4.3 硅的热氧化物
4.4 石英和熔合硅石
4.5 沉积硅氧化物
4.6 阳极氧化物
4.7 刻蚀机制
第5章 阳极性能
5.1 引言
5.2 电流-电位关系
5.3 光效应
5.4 有效的溶解价
5.5 氢气的产生
5.6 极限电流
5.7 界面层的阻抗
5.8 Tafel斜率和电位分布
5.9 钝化
5.10 电流振荡
5.11 能带的参与和速率的控制过程
5.12 反应机理
第6章 阴极特性和氧化-还原对
6.1 引言
6.2 析氢过程
6.3 金属沉积作用
6.4 硅的沉积过程
6.5 氧化-还原对
6.6 开路光电压
6.7 表面改性
第7章 硅的刻蚀
7.1 引言
7.2 概述
7.3 氟化物溶液
7.4 碱性溶液
7.5 重掺杂材料的刻蚀速率
7.6 各向异性刻蚀
7.7 表面粗糙度
7.8 应用
第8章 多孔硅
8.1 引言
8.2 多孔硅的形成
8.3 形貌
8.4 在OCP下PS的形成
8.5 在特殊条件下PS的形成
8.6 形成机理
8.7 性质和应用
第9章 总结
9.1 复杂性
9.2 表面状态
9.3 氧化膜
9.4 对曲率的灵敏性
9.5 对表面晶格结构的灵敏性
9.6 相对性
9.7 未来研究方向
